| 专利名称 | 一种制备表面混合调制晶硅太阳能电池的方法 | 申请号 | CN200910080054.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101840953A | 公开（授权）日 | 2010.09.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 贾锐;朱晨昕;陈晨;李维龙;张培文;刘明;刘新宇;叶甜春 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备表面混合调制晶硅太阳能电池的方法 至一种制备表面混合调制晶硅太阳能电池的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备表面混合调制晶硅太阳能电池的方法，包括：在晶硅基板正面和背面制备绒面结构；将正面和背面均有绒面结构的晶硅基板放置于扩散炉中进行扩散，形成双面PN结；在晶硅基板正面淀积Si薄膜，退火形成硅纳米晶；在晶硅基板正面淀积金属薄膜，退火形成金属纳米晶；在晶硅基板正面和背面生长Si3N4减反膜；采用丝网印刷在晶硅基板的背面印刷的正电极，并进行热处理固化；然后采用丝网印刷在晶硅基板的正面印刷的负电极，并进行热处理固化；合金退火，制备出表面硅纳米晶和金属纳米晶混合调制晶硅太阳能电池。本发明通过表面硅纳米晶和金属纳米晶混合调制方式，充分地转换短波长范围内的光，使其被晶硅电池吸收，达到高效转换的目的。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障