| 专利名称 | 一种制备双面PN结太阳能电池的方法 | 申请号 | CN200910080050.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101840952A | 公开（授权）日 | 2010.09.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 贾锐;朱晨昕;陈晨;李维龙;张培文;李昊峰;赵盛杰;刘明 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备双面PN结太阳能电池的方法 至一种制备双面PN结太阳能电池的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备双面PN结太阳能电池的方法，包括：在晶硅基板的正反面制备绒面结构；将正反两面均有绒面结构的晶硅基板放置入扩散炉中进行扩散，形成双面PN结结构；在晶硅基板背面光刻并腐蚀，形成太阳能电池正极栅槽；在晶硅基板的正反面氧化形成SiO2膜，并沉积Si3N4膜；在晶硅基板的正反面涂覆光刻胶，光刻曝光显影，形成电池背面正负极图形和电池正面负电极图形；在晶硅基板的正反面蒸发金属电极，并进行剥离工艺；合金退火，制备出双面PN结太阳能电池。本发明利用晶硅电池的双PN结来工作，最终达到高效转换的目的，具有工艺步骤少、简单、能与大生产线上的工艺兼容，易于实现大规模生产。 |
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