| 专利名称 | 半导体结构及其形成方法 | 申请号 | CN200910242509.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101840920A | 公开（授权）日 | 2010.09.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 骆志炯;尹海洲;朱慧珑 | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体结构及其形成方法 至半导体结构及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提出一种半导体结构，包括：衬底；形成在所述衬底上的栅极，以及形成在所述衬底中且位于所述栅极两侧的源极和漏极；分别形成在所述源极和漏极之上的提升部，所述提升部的高度接近所述栅极的高度；和形成在所述提升部和所述栅极之上的金属硅化物层和接触孔。通过本发明实施例中在源/漏极上增加的提升部，可以降低栅极和源/漏极之间的高度差，使得接触孔的形成变得更为容易。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障