| 专利名称 | 一种半导体器件及其形成方法 | 申请号 | CN200910243970.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101840887A | 公开（授权）日 | 2010.09.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体器件及其形成方法 至一种半导体器件及其形成方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件形成方法及该方法的产品。克服了现有技术中源/漏扩展区浅结串联电阻大的问题。该方法通过分别在NMOS、PMOS器件的源/漏极扩展区上面形成功函数调谐层，提高源/漏极扩展区载流子浓度，从而有效降低了源/漏极扩展区浅结的横向电阻，提高了器件的性能。 |
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