| 专利名称 | 高性能半导体器件的形成方法 | 申请号 | CN200910235780.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101840862A | 公开（授权）日 | 2010.09.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;王文武 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 高性能半导体器件的形成方法 至高性能半导体器件的形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提出了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供一个衬底；在衬底上形成源极区、漏极区、设置在所述衬底上位于所述源极区和所述漏极区之间的伪栅极结构和形成在所述衬底和伪栅极结构之间栅极介质层；对所述源极区和漏极区进行退火；去除所述伪栅极结构以形成开口；从所述开口对衬底进行离子注入以形成陡峭的倒掺杂阱；对所述开口部分进行激光退火，以激活杂质；在所述栅极介质层上进行沉积以形成金属栅极。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障