| 专利名称 | 一种在SiC材料上生长SiO2钝化层的方法 | 申请号 | CN201110147251.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102810465A | 公开（授权）日 | 2012.12.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李博;申华军;白云;汤益丹;刘焕明;周静涛;杨成樾 | 主分类号 | H01L21/04(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/04(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;C23C16/56(2006.01)I | 专利有效期 | 一种在SiC材料上生长SiO2钝化层的方法 至一种在SiC材料上生长SiO2钝化层的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种在SiC材料上生长SiO2钝化层的方法，属于在半导体材料上生长钝化层的技术领域。所述方法包括采用PECVD在SiC材料上生长SiO2钝化层和对SiO2钝化层致密。所述方法能够在较低的温度条件下实现SiO2钝化层在SiC材料上的生长，SiO2钝化层在退火后的折射率从1.465减小到1.455，SiO2钝化层的致密程度高，能够满足SiC材料对SiO2钝化层的要求。并且，本发明提供的在SiC材料上生长SiO2钝化层的方法能够用于厚度在100nm以上的SiO2钝化层的生长。 |
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