| 专利名称 | 一种高k栅介质界面优化方法 | 申请号 | CN201110149701.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102810468A | 公开（授权）日 | 2012.12.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 许高博;徐秋霞 | 主分类号 | H01L21/285(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/285(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高k栅介质界面优化方法 至一种高k栅介质界面优化方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种高k栅介质界面优化方法。该方法包括：提供半导体衬底；去除半导体衬底表面自然氧化层；在半导体衬底上形成界面优化层；在界面优化层上形成界面反应层；在界面反应层上形成介质层；对半导体衬底进行热退火处理，使界面反应层与界面优化层发生反应，减小界面优化层厚度。 |
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