| 专利名称 | 一种半导体存储器件 | 申请号 | CN201110137561.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102800359A | 公开（授权）日 | 2012.11.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘明;许中广;霍宗亮;龙世兵;谢常青;张满红;李冬梅 | 主分类号 | G11C16/06(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C16/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体存储器件 至一种半导体存储器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开一种半导体存储器件，包括：存储单元；每个所述存储单元包括字线、位线、阻变存储器件、选通器件和存储电容；所述阻变存储器件的一端与所述位线相连，另一端与所述选通器件的源极/漏极相连；所述选通器件的栅极与一条所述字线相连，所述选通器件的漏极/源极与另一条所述字线相连；所述存储电容的一端与所述选通器件的漏极/源极相连，另一端接地。本发明所公开的半导体存储器件，同时具有动态存储器的功耗低，速度快的优点，又能够实现非挥发性的存储。 |
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