| 专利名称 | 一种带有硅纳米线绒面的非/微晶硅薄膜材料的制备方法 | 申请号 | CN201210244449.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102800749A | 公开（授权）日 | 2012.11.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 发明（设计）人 | 魏钰;左潇;陈龙威;孟月东 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I | 专利有效期 | 一种带有硅纳米线绒面的非/微晶硅薄膜材料的制备方法 至一种带有硅纳米线绒面的非/微晶硅薄膜材料的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种带有硅纳米线绒面的非/微晶硅薄膜材料的制备方法，利用氢等离子体在氧化铟锡透明导电玻璃表面还原出一层铟金属纳米点，然后通入硅烷等前驱气体生长纳米线和薄膜，最终得到产品。本发明能够在一百摄氏度以下一次性制得非/微晶硅薄膜和硅纳米线绒面，避免使用贵金属催化剂，工艺简单，易于操作，成本较低，可以高效大规模应用于传统非/微晶硅薄膜生产线上。 |
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