| 专利名称 | 一种基于SOI的SiGe-HBT晶体管的制备方法 | 申请号 | CN201210304134.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102800589A | 公开（授权）日 | 2012.11.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 柴展;陈静;罗杰馨;伍青青;王曦 | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/331(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I;H01L29/737(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于SOI的SiGe-HBT晶体管的制备方法 至一种基于SOI的SiGe-HBT晶体管的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种基于SOI的SiGe-HBT晶体管的制备方法，该方法通过在所述外基区注入杂质由硼改为氟化硼，并将注入能量和剂量限定在特定范围内，有效解决了薄膜SOI上（小于等于150nm）的SiGe-HBT器件的集电极电阻大幅增加和最高截止频率Ft参数明显降低的问题。同时，相对于增大集电区注入剂量和掺杂浓度的其它方法，该方法避免了集电区掺杂浓度增加导致的器件耐压降低。此外，该制备工艺简单，易于实现。 |
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