| 专利名称 | HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器 | 申请号 | CN201010123021.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101814545A | 公开（授权）日 | 2010.08.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 张宇;王国伟;汤宝;任正伟;徐应强;牛智川;陈良惠 | 主分类号 | H01L31/11(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/11(2006.01)I | 专利有效期 | HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器 至HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器，包括：一GaSb衬底，利用分子束外延方法在GaSb衬底上依次制备出GaSb缓冲层、GaSb收集区、InAs/GaSb超晶格基区、AlGaAsSb基区、AlGaAsSb发射区以及GaSb盖层；一上电极，采用溅射的方法制作在GaSb盖层的表面，该上电极的中间开有一光的入射口；一下电极，采用溅射的方法制作在GaSb衬底的下表面。 |
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