| 专利名称 | 利用半导体PN结结电容构成的电容器及其制作方法 | 申请号 | CN200910077360.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101814531A | 公开（授权）日 | 2010.08.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 万里兮;吕垚;李宝霞 | 主分类号 | H01L29/92(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/92(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 专利有效期 | 利用半导体PN结结电容构成的电容器及其制作方法 至利用半导体PN结结电容构成的电容器及其制作方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种利用半导体PN结结电容构成的电容器及其制作方法。该电容器以一块半导体作为基材，其电容是半导体PN结的结电容，具体包括：在一块高掺杂低阻的P型或N型半导体基材上采用扩散法或离子注入法在特定区域内形成的PN结；在形成PN结的半导体的N型区域和P型区域上采用热蒸发法、电子束蒸发法或溅射法制作的一金属膜层；在该金属膜层上采用电镀方法或丝网印刷方法制作的电极凸点；根据实际需要，引出电极可以在半导体基材的两面，或者只在刻蚀区面。本发明制作的电容器，具有结构简单，电容密度大，寄生参数小，制作工艺过程简单等优点，该电容还具有对静电和电涌的防护功能，可广泛用于高频高速高功率电子系统中。 |
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