| 专利名称 | 一种制备悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的方法 | 申请号 | CN200910078555.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101814435A | 公开（授权）日 | 2010.08.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 付晓君;张海英;徐静波;黎明 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的方法 至一种制备悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的方法，该方法包括：在P++型硅衬底上生长一层二氧化硅介质，形成场效应晶体管衬底；在该场效应晶体管衬底上涂一层光刻胶，光刻曝光；蒸发源漏金属，形成悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的源漏；蒸发背面金属，形成悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的栅极；将ZnO纳米线沉积到已经蒸发源漏金属的场效应晶体管衬底上；进行退火处理，完成悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的制备。本发明具有成效明显，工艺简单易行，经济适用和可靠性强的优点，容易在微波、毫米波化合物半导体器件制作中推广和应用。 |
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