| 专利名称 | 一种制备浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的方法 | 申请号 | CN200910077369.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101814430A | 公开（授权）日 | 2010.08.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘明;刘璟;王琴;龙世兵 | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;C23C16/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的方法 至一种制备浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的方法，该方法包括：选择至少两种前躯体在隧穿介质层上采用化学气相淀积方法生长俘获层；在生长俘获层的过程中，关闭其中一种或几种前躯体，仅保留含有纳米晶材料组分的前躯体进行淀积，以形成纳米晶材料过剩的内嵌薄层；形成内嵌薄层后，恢复原工艺条件，打开所有前躯体继续生长俘获层；生长完毕，快速热处理形成纳米晶与俘获层堆叠的复合俘获层结构。利用本发明，器件的加工工艺与传统CMOS工艺兼容，极大的简化工艺制程，降低制作成本，为器件的走向实际应用打下基础。 |
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