| 专利名称 | 包含超晶格隔离层的大晶格失配外延材料缓冲层结构及其制备 | 申请号 | CN200910198257.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101814429A | 公开（授权）日 | 2010.08.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 顾溢;张永刚 | 主分类号 | H01L21/203(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/203(2006.01)I | 专利有效期 | 包含超晶格隔离层的大晶格失配外延材料缓冲层结构及其制备 至包含超晶格隔离层的大晶格失配外延材料缓冲层结构及其制备 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种包含超晶格隔离层的大晶格失配外延材料缓冲层结构及其制备，在组分渐变缓冲层中插入n层无应变的超晶格隔离层材料，n为自然数，1≤n≤5；其制备过程为：首先确定生长温度、束源炉温度等参数；然后采用分子束外延方法依次在衬底上交替生长应变量逐渐增大的缓冲层和无应变超晶格隔离层材料，直至完成达到预期应变量的缓冲层的生长。本发明的材料包含了超晶格隔离层，能使大晶格失配外延材料在缓冲层中快速有效地发生弛豫而释放应力，从而减少缓冲层上外延材料的位错密度；并且采用常规的分子束外延方法进行材料的不间断生长，具有操作易控制，成本低，对环境友好等优点。 |
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