| 专利名称 | 一种对肖特基势垒高度进行镜像力补偿修正的方法 | 申请号 | CN200910078557.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101814100A | 公开（授权）日 | 2010.08.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王鑫华;赵妙;刘新宇 | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 专利有效期 | 一种对肖特基势垒高度进行镜像力补偿修正的方法 至一种对肖特基势垒高度进行镜像力补偿修正的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种对采用J-V标准法提取的肖特基势垒高度进行镜像力补偿修正的方法，包括：结合GaN高电子迁移率晶体管器件结构，推导无界面层或者界面层在20埃以内的可视为理想肖特基势垒高度因镜像力而导致的降低量构造关于热平衡态肖特基势垒高度的一元高次函数，并根据正向电压下镜像力影响势垒高度的规律，确定等效势垒降低量来近似代替某一电压范围对势垒降低的累计影响；用MATLAB编程求解一元高次函数的零点，零点中满足大于标准J-V测量获得的势垒高度值的最近值即为修正的肖特基势垒高度值。本发明补偿了由于镜像力导致的势垒高度的降低，合理的获得热平衡态势垒高度，从全新的角度对势垒高度进行修正。 |
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