| 专利名称 | 高磁场高均匀度核磁共振超导磁体系统 | 申请号 | CN201010593131.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102136337A | 公开（授权）日 | 2011.07.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 王秋良;戴银明;赵保志;胡新宁;严陆光;王厚生;陈顺中 | 主分类号 | H01F6/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01F6/00(2006.01)I;H01F6/04(2006.01)I;H01F6/06(2006.01)I;A61B5/055(2006.01)I | 专利有效期 | 高磁场高均匀度核磁共振超导磁体系统 至高磁场高均匀度核磁共振超导磁体系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种具有高磁场高均匀度的核磁共振超导磁体系统，包括主线圈(1)和具有正反电流组合的磁场均匀度补偿线圈(19)，由24个使用NbTi/Cu低温超导线材绕制的超导线圈组成，在800mm的室温空间内产生9.4T磁场，可实现在300mm的范围内磁场的不均匀度小于0.1ppm。所述的超导磁体系统内部装有超导磁体和液氦(4)的低温容器(2)提供超导磁体正常运行所要求的4K低温环境。铁磁屏蔽系统使超导磁体具有好的电磁兼容性。本发明超导磁体系统具有结构紧凑，运行费用低廉的优点。 |
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