| 专利名称 | 零磁通霍尔大电流传感器的外壳结构 | 申请号 | CN201220201216.0 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202614798U | 公开（授权）日 | 2012.12.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 发明（设计）人 | 王林森;武旭 | 主分类号 | G01R1/04(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R1/04(2006.01)I | 专利有效期 | 零磁通霍尔大电流传感器的外壳结构 至零磁通霍尔大电流传感器的外壳结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种零磁通霍尔大电流传感器的外壳结构，包括有前、后两个大板，两个大板的两端分别由一个连接板固定连接构成一个截面为四边形的凹槽，两个连接板上分别开有一个通孔，两个连接板上分别安装有一个可拆卸的小压板。本实用新型结构简单、使用方便，把磁芯和补偿线圈的骨架紧紧的固定在凹槽中，使其性能稳定。 |
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