| 专利名称 | 用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料及其制备方法 | 申请号 | CN201010619496.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102134698A | 公开（授权）日 | 2011.07.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 彭程;吴良才;饶峰;宋志棠;刘波;周夕淋;朱敏 | 主分类号 | C23C14/06(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/06(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料及其制备方法 至用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料及其制备方法。该相变材料是一种由铝、锑、碲三种元素组成的混合物，其通式为Alx(SbyTe1)1-x，其中0＜x≤0.85，0.67≤y≤7，可采用磁控溅射的方法制备。所述的材料在外部作用下为电驱动。通过调节化合物中三种元素的含量可以得到不同结晶温度、熔点和结晶激活能的存储材料。由于铝、锑、碲三种元素之间可以两两成键，因而可调性非常强，使得其在相当大的范围内都具有相变特性。适当调节中元素比例，得到的材料比传统的材料有更高的结晶温度、更好的热稳定性和数据保持力和较低的熔点，而且继承了的快速相变能力。另外Al元素是微电子应用中的常用元素，工艺成熟，与COMS兼容性好。 |
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