| 专利名称 | 一种基于电磁转矩变化的导体中缺陷的无损检测方法 | 申请号 | CN201210291201.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102818838A | 公开（授权）日 | 2012.12.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院研究生院 | 发明（设计）人 | 王晓东 | 主分类号 | G01N27/82(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/82(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于电磁转矩变化的导体中缺陷的无损检测方法 至一种基于电磁转矩变化的导体中缺陷的无损检测方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种基于电磁转矩变化的导体中缺陷的无损检测方法，属于电力、电子工业、冶金工业、半导体材料、石油能源技术领域。本方法首先在圆柱形永磁体的一侧设置转矩传感器，驱动圆柱形永磁体旋转，使不含缺陷的导体与旋转的圆柱形永磁体靠近，测得圆柱形永磁体的旋转角速度随时间变化的参考曲线，再测得带有缺陷的永磁体的旋转角速度随时间变化的多个标定曲线，使永磁体靠近被测导体，得到测量曲线，将测量曲线与标定曲线进行比较，得到被测导体的缺陷尺寸。本发明方法适用于线材、管材以及薄板类的导体，且被测导体无须运动，简化了测量条件、测量过程和测量成本，简化了测量设备，易于实现自动化和小型化，可以应用到更多的领域和环境中。 |
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