| 专利名称 | 一种用于红外焦平面倒焊互连的铟柱及其制备方法 | 申请号 | CN201010565090.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102136484A | 公开（授权）日 | 2011.07.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 廖清君;马伟平;朱建妹;林春;王建新;胡晓宁 | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L31/02(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于红外焦平面倒焊互连的铟柱及其制备方法 至一种用于红外焦平面倒焊互连的铟柱及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种用于红外焦平面倒焊互连的铟柱及其制备方法。该方法在需要制备铟柱的芯片上分别进行两次旋涂光刻胶，两次单独曝光，一次显影的方法进行铟柱孔的光刻，在高真空热蒸发沉积铟层时，保证芯片处于铟蒸发源的正上方，铟层生长后采用有机试剂湿法剥离的方式获得新型铟柱阵列。采用本发明的方法可以获得底部尺寸大，顶部尺寸小，高度一致性好的铟柱阵列，可以满足小中心距焦平面探测器的铟柱阵列制备。制备的铟柱在生长过程中不会与光刻胶接触，不会由于生长中的高温铟源与光刻胶接触生成氧化铟或者将光刻胶碳化，可以采用有机试剂湿法剥离的方法去除多余的铟层，避免了多余残留物附着在铟柱表面。 |
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