| 专利名称 | 一种半导体结构 | 申请号 | CN201190000067.5 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202601575U | 公开（授权）日 | 2012.12.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/8232(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构 至一种半导体结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供一种半导体结构，包括：半导体衬底；栅极堆叠，其形成于所述半导体衬底上；源/漏区，其形成于半导体衬底中；层间介质层，其覆盖所述栅极堆叠和所述源/漏区；接触孔，其贯穿所述层间介质层并延伸到所述源/漏区内部；接触金属，其填充所述接触孔；其中，所述接触金属延伸入所述源/漏区内的部分与源/漏区之间在侧壁和底部存在共形的金属硅化物层；其中金属硅化物层与所述源/漏区之间存在共形的非晶化物层。本实用新型通过刻蚀源/漏区，使其暴露区域包括底部以及侧壁，增大了接触孔中接触金属和源/漏区的接触面积，从而减小了接触电阻；采用选择性沉积的方式形成非晶化物，有效地消除了由非晶化离子注入所引起的末端缺陷。 |
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