| 专利名称 | 一种坩埚下降法单晶生长炉及其应用 | 申请号 | CN201110054634.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102127804A | 公开（授权）日 | 2011.07.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 李红军;胡克艳;徐军;郭鑫;苏良碧;陈伟超;钱小波;唐慧丽 | 主分类号 | C30B11/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B11/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种坩埚下降法单晶生长炉及其应用 至一种坩埚下降法单晶生长炉及其应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种坩埚下降法单晶生长炉，包括设有密闭腔体的炉体、坩埚和垂直移动机构，所述炉体的炉底板以及炉底板内侧的保温层上开有中心孔，中心孔与密闭腔体贯通，所述垂直移动机构穿过中心孔并沿炉体的中心轴上下移动；所述垂直移动机构与炉体密闭连接时，其伸入密闭腔体的一端位于密闭腔体的上端并与坩埚连接固定。采用本发明的坩埚下降法单晶生长炉，可有效避免坩埚进出料时对保温层和发热体的触动，消除炉体的温场不稳定因素，提高单晶生长炉的可靠性，延长其使用寿命，有效提高晶体生长的稳定性、可靠性和重复性，及降低晶体的生长成本，可以适用于多种晶体的生长。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障