| 专利名称 | 一种高B值负温度系数热敏电阻材料的制备方法 | 申请号 | CN201210250492.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102731108A | 公开（授权）日 | 2012.10.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 康雪雅;张璐;窦俊青;韩英 | 主分类号 | C04B35/622(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/622(2006.01)I;C04B35/10(2006.01)I;H01C7/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高B值负温度系数热敏电阻材料的制备方法 至一种高B值负温度系数热敏电阻材料的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种高B值负温度系数热敏电阻材料的制备方法，该方法以AlN，SiO2和Al2O3为原料，以无水乙醇或丙酮为分散介质，并辅以机械球磨或搅拌，使原料分散得更加均匀，然后采用固相法制备出的新型高B值NTC热敏电阻材料。采用本发明方法制备的热敏电阻材料具有较明显的负温度系数热敏特性和相对较高的B值，有望成为现有氧化物陶瓷热敏材料的重要补充。本发明所述的方法具有合成工艺简单易行且清洁无污染，易实现工业化规模生产；具有原料的来源广泛，价格低廉，材料晶粒生长充分，颗粒大小较均匀，并且尺寸较小，平均粒径为0.2μm-0.8μm，电化学性能稳定等特点。 |
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