一种实现频率自锁定的分布反馈外腔窄线宽半导体激光器

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专利名称 一种实现频率自锁定的分布反馈外腔窄线宽半导体激光器 申请号 CN201210208573.4 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN102709811A 公开(授权)日 2012.10.03 申请(专利权)人 中国科学院半导体研究所 发明(设计)人 刘建国;刘宇;黄宁博 主分类号 H01S5/14(2006.01)I IPC主分类号 H01S5/14(2006.01)I;H01S5/068(2006.01)I 专利有效期 一种实现频率自锁定的分布反馈外腔窄线宽半导体激光器 至一种实现频率自锁定的分布反馈外腔窄线宽半导体激光器 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明公开了一种实现频率自锁定的分布反馈外腔窄线宽半导体激光器,包括在光路上依次设置的半导体激光器(a)、准直透镜(b)、偏振棱镜(c)、第一1/4波片(d)、F-P标准具(e)、第二1/4波片(f)、前腔面反射镜(g)、隔离器(h)、聚焦透镜(i)和光纤(j)。本发明提供的实现频率自锁定的分布反馈外腔窄线宽半导体激光器,能够有效压窄光源线宽,且通过互注入实现该外腔半导体激光器的频率自锁定。

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