| 专利名称 | 热稳定性镍基硅化物源漏MOSFETs及其制造方法 | 申请号 | CN201110074604.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102693917A | 公开（授权）日 | 2012.09.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 罗军;赵超;钟汇才;李俊峰 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 热稳定性镍基硅化物源漏MOSFETs及其制造方法 至热稳定性镍基硅化物源漏MOSFETs及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种热稳定性镍基金属硅化物源漏MOSFETs及其制造方法，包括：衬底、位于所述衬底中的沟道区、位于所述沟道区两侧的重结晶层、镍基金属硅化物源漏区、位于所述沟道区上的栅极结构以及位于所述栅极结构两侧的隔离侧墙，其特征在于：所述镍基金属硅化物源漏区位于所述重结晶层上，所述重结晶层中包含掺杂离子。由于采用了预非晶化再注入掺杂离子随后再退火重结晶的工艺，使得注入的掺杂离子被类似于“固定”或“冻结”在重结晶层中，在稍后的镍基金属硅化物形成过程中，这些掺杂离子不会因为离子注入时经常发生的隧道效应而进入沟道区其他部分，同时也大幅提高了镍基金属硅化物源漏区的热稳定性，且不会恶化器件性能。 |
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