| 专利名称 | 一种具有周期叠层铁电薄膜的电容及其制备方法 | 申请号 | CN201110070503.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102693837A | 公开（授权）日 | 2012.09.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 赵宁;万里兮;曹立强 | 主分类号 | H01G4/33(2006.01)I | IPC主分类号 | H01G4/33(2006.01)I;H01G4/08(2006.01)I | 专利有效期 | 一种具有周期叠层铁电薄膜的电容及其制备方法 至一种具有周期叠层铁电薄膜的电容及其制备方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种具有周期叠层铁电薄膜的电容及其制备方法。所述电容包括衬底，阻挡层，粘附层，下部电极，铁电薄膜和上部电极，铁电薄膜为包括至少一个周期性结构单元的叠层结构，周期性结构单元为BaTiO3、SrTiO3和BaxSr1-xTiO3三种铁电材料层的排列组合。本发明采用BaTiO3、SrTiO3和BaxSr1-xTiO3三种材料的周期叠层结构制备的铁电薄膜电容，在兼备较高介电常数、较低介电损耗的同时，显著降低了铁电薄膜的退火温度，从而提高了铁电薄膜的制备工艺与微电子工艺的兼容性。这种周期叠层铁电薄膜结构电容及其制备方法将在半导体器件、系统级封装无源器件集成技术等领域具有潜在的应用前景。 |
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