| 专利名称 | 基于Y波导的双分布反馈激光器双放大器的制作方法 | 申请号 | CN201010231175.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101938083A | 公开（授权）日 | 2011.01.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 孔端花;朱洪亮;梁松 | 主分类号 | H01S5/12(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/12(2006.01)I;H01S5/068(2006.01)I;H01S5/042(2006.01)I;H01S5/40(2006.01)I | 专利有效期 | 基于Y波导的双分布反馈激光器双放大器的制作方法 至基于Y波导的双分布反馈激光器双放大器的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的制作方法，包括：在N型磷化铟衬底上依次外延制作InP缓冲层、下波导层、多量子阱有源区、上波导层和光栅层；制作无源波导区，另一侧为有源波导区；制作光栅；在有源波导区和无源波导区上依次外延制作光栅盖层、光限制层和电接触层；在电接触层上向下刻蚀出Y型脊波导；在光栅层的上面及Y型脊波导的表面生长二氧化硅绝缘层；将Y型脊波导上面的二氧化硅绝缘层腐蚀掉；在有源波导区上的Y型脊波导两臂的中间制作第一电隔离沟，在有源波导区上的DFB区和SOA区之间制作第二电隔离沟；在第一电隔离沟的两侧及第二电隔离沟的两侧制作P面电极；将N型磷化铟衬底减薄；在减薄后的N型磷化铟衬底的下面制作N面电极，完成器件的制作。 |
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