| 专利名称 | 氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法 | 申请号 | CN201010251509.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101937951A | 公开（授权）日 | 2011.01.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 汪炼成;郭恩卿;刘志强;伊晓燕;王国宏 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法 至氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法，包括：步骤1：选择一外延结构，该外延结构包括蓝宝石衬底和氮化镓LED层；步骤2：在氮化镓LED层上采用电镀或键合的方法制作一转移衬底；步骤3：减薄转移衬底，然后抛光；步骤4：用激光刻划方法在转移衬底的表面上刻划图形，作为光刻对准标记；步骤5：在作好光刻对准标记的转移衬底上采用光刻方法，通过前烘，匀胶，曝光，显影，坚膜，在转移衬底上面的中间形成光刻胶图形，该光刻胶图形的面积小于转移衬底的面积；步骤6：选择腐蚀液腐蚀掉未被光刻胶图形覆盖的转移衬底，使转移衬底四周形成台面；步骤7：剥离光刻胶，清洗吹干，完成转移衬底的腐蚀。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障