| 专利名称 | 用于升压电路中的N阱电位控制电路 | 申请号 | CN201010225702.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101950190A | 公开（授权）日 | 2011.01.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 富聪;陈后鹏;宋志棠;陈小刚 | 主分类号 | G05F1/10(2006.01)I | IPC主分类号 | G05F1/10(2006.01)I | 专利有效期 | 用于升压电路中的N阱电位控制电路 至用于升压电路中的N阱电位控制电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种用于升压电路中的N阱电位控制电路，其包括：采用MOS管和电流源构成且用于比较升压电路接入的输入电源Vin和输出的电压Vout的比较电路；分别接入输入电源Vin和电压Vout且输出互连以便与升压电路中的N阱连接的输入电源选择管和输出电压选择管；连接在所述比较电路输出端以便在输入电源选择管导通时能向所述输出电压选择管提供不低于Vout的关断信号的第一控制电路；以及与所述比较电路输出端及升压电路的输出端以便在输出电压选择管导通时能向所述输入电源选择管提供不低于Vin的关断信号的第二控制电路，由此可在输入电源电压低于升压电路的输出电压时，完全关闭输入电源选择管，进而有效降低功耗，增加电路的稳定性，并减小芯片面积。 |
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