| 专利名称 | 镱铋双掺杂钨酸铅晶体及其制备方法 | 申请号 | CN201010274494.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101935879A | 公开（授权）日 | 2011.01.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 熊巍;袁晖;陈良;周尧 | 主分类号 | C30B29/32(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/32(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I | 专利有效期 | 镱铋双掺杂钨酸铅晶体及其制备方法 至镱铋双掺杂钨酸铅晶体及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种Yb3+/Bi3+双掺杂钨酸铅晶体及其制备方法，属于光学晶体领域。本发明利用Yb3+离子的敏化作用，通过Yb3+—Bin+(n＝0，1，2)之间的能量传递作用，使PWO晶体中Bi离子产生多波段近红外发光。本发明提供的制备方法以高纯Bi2O3、Yb2O3粉料掺入钨酸铅多晶料锭中，采用提拉法及坩埚下降法制备了Yb3+/Bi3+双掺杂钨酸铅晶体，所得晶体中Bi3+的掺杂量为0.1～2.0(at％)，Yb3+的掺杂量为0.3～4.0(at％)。? |
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