| 专利名称 | 一种扩散阻挡层及其制备方法 | 申请号 | CN201110033129.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102623434A | 公开（授权）日 | 2012.08.01 | 申请（专利权）人 | 北京泰龙电子技术有限公司;中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王文东;夏洋;李超波;李勇滔;刘邦武;刘训春 | 主分类号 | H01L23/532(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | 一种扩散阻挡层及其制备方法 至一种扩散阻挡层及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及半导体器件中阻挡层技术领域，具体涉及一种具有多层膜结构的扩散阻挡层及其制备方法。该扩散阻挡层包括底层TaSiN层，位于底层TaSiN层上的TaN层，以及位于TaN层上的顶层TaSiN层。该阻挡层的制备方法，包括如下步骤：采用物理气相沉积方法依次沉积TaSi层、Ta层、TaSi层；将TaSi层、Ta层、TaSi层置于浸没式等离子注入机中注入N生成TaSiN层、TaN层、TaSiN层。本发明提供的多层膜结构的扩散阻挡层更加致密，其中的TaSiN及TaN层均为非晶结构，不存在晶界这样的可供快速扩散的通道，是理想的阻挡层结构，保证其热稳定性更好。 |
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