| 专利名称 | 对发光二极管进行光电热老化综合检测的系统及方法 | 申请号 | CN201110435006.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102608509A | 公开（授权）日 | 2012.07.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 赵丽霞;杨华;王军喜;王国宏;曾一平;李晋闽 | 主分类号 | G01R31/26(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R31/26(2006.01)I;G01M11/02(2006.01)I | 专利有效期 | 对发光二极管进行光电热老化综合检测的系统及方法 至对发光二极管进行光电热老化综合检测的系统及方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种对多颗发光二极管器件在加速老化的同时，原位进行光、电、热综合测试的系统及方法。此检测系统包括发光二极管负载电路板(1)、电参数发生及测试装置(2)、多通道驱动控制装置(3)、光探测装置(4)、光探测控制装置(5)、光信号处理分析装置(6)、恒定温度控制装置(7)、温度探测装置(8)以及中央监控及处理计算机(9)。利用本发明，不仅能够对多颗发光二极管进行加速老化，而且可以通过计算机设定时间节点，对每一个发光二极管器件的电学、光学及热学热性进行逐个测试，以便全面了解LED发光二极管器件的整体物理特性。 |
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