| 专利名称 | 在Si衬底上制备纤锌矿相MxZn1-xO单晶薄膜的方法 | 申请号 | CN201110119774.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102776567A | 公开（授权）日 | 2012.11.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 梅增霞;梁会力;梁爽;叶大千;刘章龙;崔秀芝;刘尧平;杜小龙 | 主分类号 | C30B29/22(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I;C30B29/64(2006.01)I | 专利有效期 | 在Si衬底上制备纤锌矿相MxZn1-xO单晶薄膜的方法 至在Si衬底上制备纤锌矿相MxZn1-xO单晶薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种在Si衬底上制备MxZn1-xO(M＝Mg，Be)单晶薄膜的方法，包括：在Si衬底表面上沉积Be金属单晶薄膜；氧化Be金属薄膜以获得BeO单晶层；在BeO单晶层上沉积MxZn1-xO单晶薄膜。 |
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