| 专利名称 | 铜铟镓硒薄膜型太阳能电池装置及其制备方法 | 申请号 | CN201110418886.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102779891A | 公开（授权）日 | 2012.11.14 | 申请（专利权）人 | 香港中文大学;中国科学院深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 尹苓;肖旭东;张康 | 主分类号 | H01L31/0749(2012.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0749(2012.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 铜铟镓硒薄膜型太阳能电池装置及其制备方法 至铜铟镓硒薄膜型太阳能电池装置及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜型太阳能电池装置，包括依次层叠设置的衬底、背电极层、铜铟镓硒光吸收层、缓冲层、阻挡层及导电窗口层，其中，背电极层为石墨烯薄膜。通过采用电学性能优异的石墨烯薄膜取代传统的Mo背电极，不仅能够节约Mo原料，而且由于电池的衬底和背电极透光，使得电池上下面都有光的吸收，进入电池中光通量增加，从而可以产生更多的电子空穴对，使得铜铟镓硒薄膜电池装置能够在相对较薄的光吸收层下仍保持很高的光电转换效率。此外，本发明还涉及一种铜铟镓硒薄膜型太阳能电池装置的制备方法。 |
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