| 专利名称 | 一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法 | 申请号 | CN201210067557.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102623633A | 公开（授权）日 | 2012.08.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 李润伟;胡本林;潘亮;尚杰 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;C08L79/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法 至一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种电阻型随机存储器的存储单元，包括绝缘衬底、绝缘衬底表面的第一电极、第一电极表面的中间层，以及中间层表面的第二电极，该中间层是由质子酸掺杂在聚西佛碱中亚胺双键(C＝N)的氮原子上而形成的质子酸掺杂的聚西佛碱薄膜构成。与普通聚西佛碱薄膜作为中间层的存储单元相比，本发明采用质子酸掺杂的聚西佛碱薄膜作为中间层，能够有效降低存储单元的功耗、实现存储单元的自整流，并且存储单元阻变过程平缓、无突变，从而达到阻变性质较好的一致性，因此在存储器件领域具有潜在的应用价值。 |
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