| 专利名称 | 一种在锗衬底上制备金属-氧化物-半导体电容的方法 | 申请号 | CN200910242767.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102103983A | 公开（授权）日 | 2011.06.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 胡爱斌;徐秋霞 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种在锗衬底上制备金属-氧化物-半导体电容的方法 至一种在锗衬底上制备金属-氧化物-半导体电容的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种在锗衬底上采用铪硅氧氮介质制备MOS电容的方法，包括：清洗锗片；在清洗后的锗片上依次淀积氮化硅薄膜和氮化铪薄膜，重复多次淀积多层氮化硅和氮化铪叠层；然后在氮气的氛围中快速热退火；接着通过涂胶、曝光和显影形成光刻胶的图形；然后淀积金属电极材料；金属电极材料剥离后形成电极图形；在锗衬底的背面溅射一层金属铝；最后在氮气的氛围中在炉管中退火金属化。本发明在铪基高介电常数介质中掺入硅元素，避免了在栅介质淀积后的退火和金属电极形成后的退火过程中生成含有大量缺陷态的锗的氧化物的问题，降低了界面处的固定电荷和电荷俘获中心，获得电学性能优异的锗MOS电容。 |
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