| 专利名称 | 具有可调节电荷轨道有序特性的锰氧化物薄膜 | 申请号 | CN200910242772.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102101793A | 公开（授权）日 | 2011.06.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 王晶;胡凤霞;孙继荣;沈保根 | 主分类号 | C04B41/50(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B41/50(2006.01)I;C23C14/28(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I | 专利有效期 | 具有可调节电荷轨道有序特性的锰氧化物薄膜 至具有可调节电荷轨道有序特性的锰氧化物薄膜 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种在(001)取向钙钛矿锰氧化物薄膜中获得可调节的电荷轨道有序特性的新方法和用途。以具有良好反压电性能的(001)取向PMN-PT单晶材料为衬底，衬底和钙钛矿锰氧化物的晶格失配控制在1％到3％以保证薄膜外延生长的同时具有大的面内拉伸应变从而诱导产生电荷轨道有序转变。该薄膜的化学通式为：Re1-xAexMnO3；其中x＝0-1，Re为La、Ce、Pr、Eu、Ho、Nd、Sm之一或者两种以上的任意组合，Ae为Ca、Sr、Ba、Ce、Sn、Y、Hf之一或者两种以上的任意组合。更进一步地，在衬底上施加偏置电场可调节薄膜中电荷轨道有序相的状态，进而调控薄膜的磁电阻。 |
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