| 专利名称 | 一种制作利用硅通孔构成的三维硅基无源电路的方法 | 申请号 | CN200910242759.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102103979A | 公开（授权）日 | 2011.06.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王惠娟;万里兮 | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制作利用硅通孔构成的三维硅基无源电路的方法 至一种制作利用硅通孔构成的三维硅基无源电路的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制作利用硅通孔构成的三维硅基无源电路的方法，该方法包括：在减薄后的硅片上形成介质层；在硅片上大面积刻蚀出深的硅通孔；在硅片中部的电容区域进行离子扩散，形成PN结；将用于制作硅通孔的孔二次刻蚀至贯通，并在贯通的硅通孔表面制作绝缘层，在贯通的硅通孔中淀积金属铜；在金属铜的上下表面位置制作凸点，并在硅片表面形成相应的电气连接，形成电容；以及将制作好的电容与另一硅基无源器件通过键合相连，完成三维硅基无源电路的制作。利用本发明，摆脱了传统的在硅片上集成电路，大大减少了芯片的面积，节省成本，使得在工艺实现上更为方便，可替代传统的表面贴装器件或者无源电路，特别是在全硅封装领域得到重要应用。 |
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