| 专利名称 | 一种体接触器件结构及其制造方法 | 申请号 | CN201010110029.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102148158A | 公开（授权）日 | 2011.08.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 梁擎擎;钟汇才 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 一种体接触器件结构及其制造方法 至一种体接触器件结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种体接触器件结构及其制造方法，本发明是在形成伪栅堆叠后，去除伪栅堆叠的一端以形成开口，伪栅堆叠未去除部分为体引出堆叠，体引出堆叠的体引出层直接和衬底接触；而后在开口内形成替代栅堆叠；而后在体引出堆叠中的体引出层上形成体接触。本发明所述方法形成的体接触器件结构有效减小了寄生效应和器件面积，提高了器件结构的性能。 |
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