| 专利名称 | 一种超微阵列电极的制备方法 | 申请号 | CN201210384966.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102890108A | 公开（授权）日 | 2013.01.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明（设计）人 | 董绍俊;余登斌 | 主分类号 | G01N27/30(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/30(2006.01)I | 专利有效期 | 一种超微阵列电极的制备方法 至一种超微阵列电极的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种超微阵列电极的制备方法，包括以下步骤：将电极材料插进玻璃毛细管中，得到第一玻璃毛细管；将多根所述第一玻璃毛细管，插进玻璃管中，所述第一玻璃毛细管与所述玻璃管之间的空隙采用玻璃制品填充，得到第一玻璃管；将所述第一玻璃管灌装导电介质，连接导线，将连接导线后的第一玻璃管密封，得到超微阵列电极。在上述制备超微阵列电极的过程中，由于只采用了两种材料：玻璃和电极材料，且上述两种材料的热膨胀系数相近，因此不易造成玻璃和电极材料的脱离，避免了电极材料、玻璃毛细管和玻璃管之间产生缝隙，从而在测试过程中不会造成测试溶液进入缝隙，使电极具有较高的稳定性。 |
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