| 专利名称 | 基于硅纳米线有序阵列的pH荧光传感器及其制法和应用 | 申请号 | CN201210385097.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102928391A | 公开（授权）日 | 2013.02.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 穆丽璇;苗荣;师文生 | 主分类号 | G01N21/64(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N21/64(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;B82Y15/00(2011.01)I | 专利有效期 | 基于硅纳米线有序阵列的pH荧光传感器及其制法和应用 至基于硅纳米线有序阵列的pH荧光传感器及其制法和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及基于硅纳米线有序阵列的pH荧光传感器及其制法和应用。本发明的对pH具有选择性荧光响应的基于硅纳米线有序阵列的pH荧光传感器，是将基于化学刻蚀方法制备得到的经过面清洗处理的硅纳米线有序阵列与戊二醛反应得到的表面修饰有醛基的硅纳米线有序阵列，和有机小分子物质氨基荧光素进行反应，以对其表面进行共价键修饰，将得到的硅纳米线有序阵列进一步与醋酸硼氢化钠反应，从而得到表面修饰有作为对pH具有选择性荧光响应的氨基荧光素的本发明的pH荧光传感器。本发明的基于硅纳米线有序阵列的pH荧光传感器可用于溶液中pH值的检测，并可以将其作为细胞生长的基底，实时、原位观察细胞生长环境中pH的变化。 |
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