| 专利名称 | 单电子磁电阻结构及其应用 | 申请号 | CN200910238510.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101853918A | 公开（授权）日 | 2010.10.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 张佳;温振超;张晓光;韩秀峰 | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L43/08(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I;G11C11/15(2006.01)I;G01R33/09(2006.01)I | 专利有效期 | 单电子磁电阻结构及其应用 至单电子磁电阻结构及其应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了单电子磁电阻结构及其应用，例如自旋二极管、自旋晶体管、传感器、磁性随机存取存储器和磁逻辑器件单元。其中，GMR量子点单电子隧穿磁阻结构包括一衬底，及其上的底部导电层、第一势垒层、GMR磁性量子点层、第二势垒层、顶部导电层。双势垒磁性量子点结构包括核心膜层，该核心膜层从下至上包括：底部电极、第一势垒层、磁性量子点层、第二势垒层以及顶部电极。由于本发明结合库仑阻塞效应和隧穿磁电阻效应，利用外磁场控制通过量子点的库仑能级共振隧穿，提高隧穿磁电阻。利用库仑阻塞形成的磁阻设计能有效提高隧穿磁电阻效应，提高在器件应用的信噪比，同时利用单电子隧穿降低了隧穿电流，因此将减小器件应用上的功耗。 |
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