| 专利名称 | 一种有序介孔氧化铟的合成方法 | 申请号 | CN200910081409.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101851002A | 公开（授权）日 | 2010.10.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院过程工程研究所 | 发明（设计）人 | 王丹;赖小勇;毛丹;杜江 | 主分类号 | C01G15/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G15/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种有序介孔氧化铟的合成方法 至一种有序介孔氧化铟的合成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种有序介孔氧化铟的合成方法，其通过预先合成具有较大的孔壁联通孔的介孔氧化硅，然后用萃取处理来移除其孔道里的表面活性剂，再用这种萃取处理的介孔氧化硅为硬模板来制备有序介孔氧化铟，本发明的方法利用萃取法来降低目前“普通”介孔氧化硅制备有序介孔氧化物的成本，增加联通孔尺寸以改善萃取后介孔氧化硅的联通性，从而确保使用其作硬模板能够制备出有序的介孔氧化物材料。 |
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