| 专利名称 | 一种还原氧化石墨烯的制备方法与应用 | 申请号 | CN201010159976.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101844760A | 公开（授权）日 | 2010.09.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 陈鹏磊;刘鸣华;姚平平 | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种还原氧化石墨烯的制备方法与应用 至一种还原氧化石墨烯的制备方法与应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种还原氧化石墨烯薄膜及其制备方法与应用。本发明所提供的还原氧化石墨烯薄膜是以氧化石墨烯(graphene?oxide，GO)在水、乙醇、甲醇、丙酮、乙腈、乙二醇，乙酸、甲酸、乙酸乙脂、吡啶、甲苯等极性溶剂或这些溶剂的混合溶剂中的溶液为原料，依次经过通电修复体系的构建、电子注入等步骤而制得的。本发明所得到的还原氧化石墨烯薄膜的电阻与未修复前的氧化石墨烯薄膜材料的电阻相比，降低了102～108倍。通过该方法所修复的RGO薄膜可以应用于光电响应器件等光电转换领域中。 |
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