单周期执行高速缓存写命中操作的装置及方法

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专利名称 单周期执行高速缓存写命中操作的装置及方法 申请号 CN201210037948.5 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN102646071A 公开(授权)日 2012.08.22 申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 朱伟成;喻庆东;周莉;陈杰 主分类号 G06F12/08(2006.01)I IPC主分类号 G06F12/08(2006.01)I 专利有效期 单周期执行高速缓存写命中操作的装置及方法 至单周期执行高速缓存写命中操作的装置及方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明公开了一种单周期执行高速缓存写命中操作的装置及方法,该装置包括:监控单元,用于监测高速缓存中Data静态存储器写端口的数据和命中信号,如果发生写命中则将待写数据和对应地址的Tag写入缓冲单元;缓冲单元,用于存储和缓冲写命中数据和Tag,并且在操作后将当前缓冲器的状态进行及时的更新;写回单元,用于监测下一次写操作的查询周期,并在这个周期将缓冲单元中的待写回数据写入到高速缓存的Data静态存储器中;命中判定单元,用于判断当前的读操作是否命中了缓冲单元,如果是则将缓冲单元的数据传递给总线,并通知读操作完成。本发明采用缓冲写回和流水线技术,使得单周期即可完成高速缓存写命中操作,有利于系统芯片整体性能提高。

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