| 专利名称 | 一种用于微波频段的穿硅同轴线的制造方法 | 申请号 | CN201010522672.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102097672A | 公开（授权）日 | 2011.06.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 汤佳杰;罗乐;徐高卫;袁媛 | 主分类号 | H01P11/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01P11/00(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01P3/06(2006.01)N | 专利有效期 | 一种用于微波频段的穿硅同轴线的制造方法 至一种用于微波频段的穿硅同轴线的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种用于微波频段穿硅同轴线的制作方法，其特征在于在硅片(1)的A面氧化层上光刻出同轴线图形，使用深反应离子体刻蚀工艺刻蚀出同轴线通孔，同轴线通孔的深度小于硅片的厚度；在硅片(2)的A面上溅射种子层，再覆盖一层光敏BCB，经过光刻得到同轴线的电镀图形，然后使用BCB键合工艺将硅片(1)和(2)的A面对准并低温键合；使用化学机械抛光工艺将硅片(1)的B面研磨至露出通孔，电镀同轴线；最后将硅片(2)从B面磨掉，去除种子层金属。本发明采用光刻等与微电子工艺相兼容的圆片级工艺，保证了传输线的精度，能实现大批量制造。该穿硅同轴传输线降低了高密度三维封装中信号在通过硅片时微波性能受到的影响，避免了穿硅传输线损耗过大。 |
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