| 专利名称 | 一种自掩模单结多端三维纳米结构的制备方法 | 申请号 | CN201110008336.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102092675A | 公开（授权）日 | 2011.06.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 李无瑕;顾长志;崔阿娟 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种自掩模单结多端三维纳米结构的制备方法 至一种自掩模单结多端三维纳米结构的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种自掩模单结多端三维纳米结构的制备方法，涉及纳米结构制备技术，包括：(1)衬底上功能薄膜材料的生长；(2)功能薄膜材料上自掩模微纳米材料的生长；(3)步骤(2)中制备的样品的放置与固定；(4)基于离子束刻蚀的单结多端三维纳米材料结构的制备；(5)对单结多端自由站立的三维纳米结构的各端分别制备电极；(6)得成品。本发明方法在制备中，位置，结构与尺寸精确可控，三维纳米结构的物性与机械性能均匀可靠，为纳米器件物性的稳定，集成度的提高以及与多功能混合集成提供了新的技术途径。 |
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