| 专利名称 | 应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法 | 申请号 | CN201110206037.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102263015A | 公开（授权）日 | 2011.11.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 周旭亮;于红艳;王宝军;潘教青;王圩 | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L21/18(2006.01)I | 专利有效期 | 应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法 至应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底1上生长二氧化硅层；步骤2：采用传统光刻和RIE方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出多个沟槽；步骤3：分别用piranha、SC2、HF和去离子水清洗，除去沟槽底部剩余的二氧化硅层，露出硅衬底；步骤4：采用低压MOCVD的方法，在沟槽内生长GaAs缓冲层，然后在沟槽内的GaAs缓冲层上生长GaAs顶层；步骤5：采用化学机械抛光的方法，将超出沟槽的GaAs顶层抛光，抛光至与二氧化硅层齐平，完成材料的制备。 |
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