| 专利名称 | 石墨烯的图形化方法 | 申请号 | CN201110218695.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102263013A | 公开（授权）日 | 2011.11.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李铁;王文荣;王跃林 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 专利有效期 | 石墨烯的图形化方法 至石墨烯的图形化方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种在衬底上开具沟槽，再利用这些沟槽对石墨烯进行图形化的方法。该方法包括如下步骤：利用微加工技术中的深反应离子刻蚀、微切割技术或湿法腐蚀在衬底上制作出以沟槽为边界的图形结构；将无支撑的大面积石墨烯薄膜从溶液中转移到具有沟槽的图形化衬底上；烘干衬底与石墨烯，利用溶液的表面张力使沟槽区域的石墨烯断裂，得到所需要的图形化石墨烯。该方法可以在衬底上精准确定图形化石墨烯的位置，并且无需对石墨烯进行光刻刻蚀等处理，避免了对石墨烯晶格质量造成损害，解决以往石墨烯图形化过程中成本高、定位难、易受污染等问题。 |
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